Einführung der 1200V IGBTs
ROHM Co., Ltd. hat eine neue Generation von 1200V IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) entwickelt, die für die Automobilindustrie optimiert sind. Diese Bauteile sind für die AEC-Q101-Qualifikation geeignet und bieten herausragende verlustarme Eigenschaften sowie eine hohe Kurzschlusstoleranz.
Anwendungsbereiche
Die neuen IGBTs sind besonders geeignet für elektrische Fahrzeugkompressoren, Hochspannungsheizungen und industrielle Wechselrichter. Die Produktreihe umfasst derzeit vier Modelle der RGA-Serie in diskreten Gehäusen (TO-247-4L und TO-247N) sowie 11 Bare-Chip-Varianten, mit weiteren Modellen, die in Zukunft hinzukommen sollen.
Technische Merkmale
Die IGBTs zeichnen sich durch eine branchenführende Kurzschlussfestigkeit von 10 Mikrosekunden (bei Tj=25 Grad C) aus. Sie bieten zudem niedrige Schalt- und Leitungsverluste bei einer hohen Spannungsfestigkeit von 1200 V. Um die Automobilstandards zu erfüllen, wurde die Bausteinstruktur einschließlich des Peripheriedesigns optimiert.
Gehäuse und Design
Das neue TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen ermöglicht eine effektive Spannung von 1100 V in Umgebungen mit einem Verschmutzungsgrad von 2. Dies wird durch eine angemessene Kriechstrecke zwischen den Pins erreicht, was Anwendungen mit höheren Spannungen unterstützt.
Effizienzsteigerung
Durch die Umsetzung von Kriechstreckenmaßnahmen wird der Entwurfsaufwand für Hersteller reduziert. Das TO-247-4L-Gehäuse bietet zudem einen Kelvin-Emitteranschluss, der ein schnelles Schalten ermöglicht und die Verluste weiter minimiert. In einem dreiphasigen Wechselrichter zeigen die neuen Gehäuse eine Verlustreduzierung von etwa 24 % im Vergleich zu Standardprodukten und 35 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten.
Zukunftsausblick
ROHM plant, sein Sortiment an Hochleistungs-IGBTs weiter auszubauen, um die Miniaturisierung und Effizienz in der Antriebstechnik sowohl in der Automobil- als auch in der Industrieausrüstung zu fördern.
Integration in Module
Die 1200V IGBTs der RGA-Serie sind auch in die Leistungshalbleitermodule der MiniSKiiP(R)-Serie von Semikron Danfoss integriert, die Nennstromstärken von 10 A bis 150 A abdecken.
Diese Entwicklungen zeigen ROHMs Engagement für innovative Lösungen im Bereich der Leistungshalbleiter und deren Anwendung in modernen Technologien.
